STAGE – Conception analogique de chemin de lecture d’une NVM – F/H
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- Grenoble
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About this role
Contexte et demande de conception de eNVM
Depuis 10 ans, on observe une grande frénésie autour des produits utilisant des mémoires non-volatiles embarquées (eNVM), pour des domaines d’applications tels que l’électronique grand public, l’industriel, l’automobile, les domaines sécurisés, le spatial et l’Intelligence Artificielle (IA). STMicroelectronics propose des produits et des solutions eNVM adressant tous ces marchés et pouvant supporter les applications de manière performante. Cela inclut des bandes passantes adaptées (débit d’information en lecture) et une consommation énergétique convenant à l’application visée.
ePCM pour les nœuds avancées 18nm FDSOI
Chez STMicroelectronics, la mémoire à changement de phase (PCM) est la technologie de bitcells choisie pour les nœuds avancés (à partir du 28 nm FDSOI). Elle offre une capacité d’intégration supérieure aux autres technologies, grâce à son inclusion dans les couches de métaux dites « back-end ». Parmi ses fonctionnalités primaires, l’ePCM permet l’écriture et la lecture d’information que ce soit du code ou des données. Ses capacités de cyclage (nombre d’écritures) atteignent les 100 k écritures et la conservation de ses données (rétention) peut s’étendre jusqu’à 15 ans.
Motivations et sujet de stage ingénieur PFE
Les demandes de développement d’ePCM sont grandissantes, avec des tendances vers des capacités mémoires étendues (2 Mo, 4 Mo et plus), mais aussi des besoins pour des petites mémoires (256 Ko). Les usages du contenu, qu’il s’agisse de données ou de code, sont très variés et nécessitent une adaptation de la mémoire. Afin de pouvoir proposer des solutions optimisées en surface et dans des délais raisonnables, nous anticipons un besoin d’améliorer nos méthodes de conception. Le stagiaire contribuera à cela en se concentrant sur la fonctionnalité de lecture de l’ePCM. Les étapes proposées sont les suivantes :
- Introduction à l’ePCM 18nm STMicroelectronics
- Introduction et simulations de la fonctionnalité de lecture de l’ePCM, incluant les amplificateurs différentiels et le chemin de lecture jusqu’aux bitcells
- Investigations concernant les redimensionnements mémoires et les dépendances liées aux tailles de matrices (nombre bitlines / wordline)
- Re-design et simulation de chemins de lectures pour différents cas de tailles mémoires
- Synthèse et rédaction d’une méthodologie « optimisation du chemin de lecture en fonction de la taille de la mémoire »
- Présentation et communication
Profils du candidat(e)
- 3ième année d’école d’ingénieur ou master 2
- Filière électronique ou microélectronique et spécialité conception analogique, disponible pour un stage de 6 mois
- Motivé(e), curieux(se), engagé(e), autonome,
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